電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的 4 個(gè)關(guān)鍵測(cè)試階段

　　雖然功率轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中所需的電氣測(cè)試類型與前幾代設(shè)備所需的電氣測(cè)試類型類似，但采用碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料需要更加嚴(yán)格和嚴(yán)格的測(cè)試。新的測(cè)試策略。

　　臺(tái)架測(cè)試?yán)^續(xù)在電源轉(zhuǎn)換設(shè)備開發(fā)的每個(gè)階段發(fā)揮重要作用，以表征、驗(yàn)證、基準(zhǔn)測(cè)試和記錄效率和其他特性。首先測(cè)試材料以確定其是否適合使用，然后在制造 SiC 或 GaN 晶圓后進(jìn)行額外測(cè)試。在晶圓上制造器件或電路后進(jìn)行測(cè)試，然后進(jìn)行封裝部件測(cè)試。對(duì)組裝好的電路進(jìn)行進(jìn)一步的測(cè)試，最后在電源轉(zhuǎn)換設(shè)備下線時(shí)對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。

　　這四個(gè)測(cè)試階段中的每一個(gè)對(duì)于整個(gè)項(xiàng)目都有各自的重要性，并且每個(gè)階段都必須在工作流程/價(jià)值流的特定點(diǎn)進(jìn)行。例如，在將 MOSFET 安裝到電路板上之前，必須對(duì)作為獨(dú)立組件的 MOSFET 進(jìn)行擊穿電壓測(cè)試。同樣，開關(guān)能量必須在 MOSFET 安裝在電路板上之后進(jìn)行測(cè)量，因?yàn)樵撃芰咳Q于與整個(gè)電路相關(guān)的因素，而開關(guān)頻率則取決于柵極驅(qū)動(dòng)器。

　　泰克提供了一套全面的測(cè)試設(shè)備，使設(shè)計(jì)和測(cè)試工程師能夠建立足夠強(qiáng)大的測(cè)試臺(tái)來(lái)滿足他們最嚴(yán)格的要求。該設(shè)備還為新興需求奠定了基礎(chǔ)，隨著電源轉(zhuǎn)換設(shè)備變得更加復(fù)雜、監(jiān)管環(huán)境變得更加嚴(yán)格以及測(cè)試協(xié)議變得更具挑戰(zhàn)性，這些需求將成為最前沿的需求。

　　以下是四個(gè)測(cè)試階段：

　　材料級(jí)測(cè)試

　　在預(yù)組裝階段，必須對(duì)寬帶隙材料本身進(jìn)行測(cè)試，然后在晶圓階段進(jìn)行測(cè)試，以確定其行為規(guī)范。寬帶隙半導(dǎo)體材料研究和測(cè)試通常涉及確定樣品的電阻率和霍爾遷移率。測(cè)量這些參數(shù)的主要技術(shù)是：

　　范德堡法

　　霍爾效應(yīng)測(cè)量

　　所有這些測(cè)量都可以使用參數(shù)分析儀進(jìn)行。Keithley 4200A-SCS 參數(shù)分析儀包含 的模塊允許研究人員自動(dòng)執(zhí)行范德堡電阻率和霍爾效應(yīng)測(cè)量，從而節(jié)省寶貴的研究時(shí)間，并且無(wú)需購(gòu)買單獨(dú)的系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行這些測(cè)試。

　　組件級(jí)測(cè)試

　　下一階段的測(cè)試針對(duì)在晶圓上制造或作為獨(dú)立組件制造的組件/設(shè)備。執(zhí)行器件 IV 表征以將仿真數(shù)據(jù)與實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。制造后組件測(cè)試在設(shè)備設(shè)計(jì)者創(chuàng)建數(shù)據(jù)表和質(zhì)量控制中發(fā)揮著不可或缺的作用。最終客戶還廣泛使用它來(lái)根據(jù)其規(guī)格驗(yàn)證組件。

　　IV 表征測(cè)量可以使用 4200A-SCS 或 Keithley 系列高功率源測(cè)量單元 (SMU) 進(jìn)行。此外，4200A-SCS 支持 CV 測(cè)量。將 4200A-CVIV 多功能開關(guān)添加到 4200A-SCS 后，您將獲得以下優(yōu)勢(shì)：

　　無(wú)需重新連接任何電纜：減少用戶錯(cuò)誤并允許自動(dòng)測(cè)試。

　　允許直接測(cè)量電路級(jí)電容。

　　在每個(gè)端子處使用偏置 T 形接頭無(wú)需外部電容器或短路。

　　對(duì)被測(cè)設(shè)備 (DUT) 進(jìn)行全面 CV 補(bǔ)償。

　　電路級(jí)測(cè)試

　　如上所述，MOSFET 的開關(guān)特性在安裝到電路中后必須進(jìn)行測(cè)試和表征，通常通過使用任意函數(shù)發(fā)生器 (AFG)進(jìn)行雙脈沖測(cè)試 來(lái)創(chuàng)建如圖所示的脈沖測(cè)試波形。該測(cè)試測(cè)量的參數(shù)包括開啟和關(guān)閉特性以及熱行為。組件制造商通常會(huì)創(chuàng)建供內(nèi)部開發(fā)使用的演示板，并在其上安裝 MOSFET 以進(jìn)行電路級(jí)測(cè)試(包括雙脈沖測(cè)試)。

　　要了解有關(guān)雙脈沖測(cè)試的更多信息，我們鼓勵(lì)您觀看視頻使用 AFG31000 進(jìn)行雙脈沖測(cè)試。該視頻展示了如何使用 Tektronix AFG31000 任意函數(shù)發(fā)生器上的內(nèi)置軟件設(shè)置和運(yùn)行雙脈沖測(cè)試。現(xiàn)在您無(wú)需花時(shí)間在 PC 或微控制器上創(chuàng)建波形。相反，您可以在 AFG31000 上在一分鐘內(nèi)設(shè)置雙脈沖測(cè)試。

　　系統(tǒng)級(jí)測(cè)試

　　完全組裝的電源模塊需要使用各種儀器(包括示波器、電源、隔離探頭和電源分析軟件)進(jìn)行測(cè)試，特別是其運(yùn)行效率，如下圖所示。這些儀器及其提供的測(cè)量在滿足監(jiān)管準(zhǔn)則以及獲得能源之星合規(guī)性等認(rèn)證資格方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

　　源測(cè)量單元儀器、電容電壓?jiǎn)卧?任意函數(shù)發(fā)生器、 示波器、 探頭和 軟件工具 等測(cè)試工具的創(chuàng)新 使設(shè)計(jì)工程師能夠在生命周期的各個(gè)階段致力于開發(fā)能夠經(jīng)濟(jì)有效地滿足嚴(yán)格要求的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備。設(shè)計(jì)要求。

　　以上內(nèi)容由普科科技/PRBTEK整理分享， 西安普科電子科技有限公司致力于打造儀器配附件一站式供應(yīng)平臺(tái)。主營(yíng)范圍：示波器測(cè)試附件配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。涵蓋產(chǎn)品包含電流探頭、差分探頭、高壓探頭、無(wú)源探頭、柔性電流探頭、近場(chǎng)探頭、電流互感器、射頻測(cè)試線纜、各類儀器測(cè)試附件等。更多信息，歡迎登陸官方網(wǎng)站進(jìn)行咨詢：http://www.jmcsled.cn