雙脈沖測(cè)試差分探頭該不該打開(kāi)差分探頭的帶寬限制按鍵

雙脈沖測(cè)試中差分探頭是否打開(kāi)帶寬限制按鍵，需結(jié)合測(cè)試目標(biāo)、被測(cè)器件特性及現(xiàn)場(chǎng)干擾情況綜合判斷，不能一概而論，以下是具體分析和結(jié)論：

建議打開(kāi)帶寬限制的場(chǎng)景

普通功率器件且干擾嚴(yán)重時(shí)：若測(cè)試的是常規(guī) IGBT、MOSFET 等器件，其開(kāi)關(guān)速度適中，且測(cè)試環(huán)境中電磁干擾（EMI）較強(qiáng)，打開(kāi)帶寬限制很有必要。雙脈沖測(cè)試中功率器件開(kāi)關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生高頻噪聲，這些噪聲頻率往往遠(yuǎn)超器件本身開(kāi)關(guān)信號(hào)的有效頻率，打開(kāi)帶寬限制可過(guò)濾高頻雜波，避免噪聲被誤判為信號(hào)震蕩，讓電壓波形更穩(wěn)定，方便讀取開(kāi)關(guān)時(shí)間、電壓幅值等關(guān)鍵參數(shù)。比如測(cè)試傳統(tǒng)硅基 IGBT 的下管 Vds 時(shí)，若波形出現(xiàn)無(wú)規(guī)律毛刺，開(kāi)啟 20 - 100MHz 的帶寬限制，可有效改善波形質(zhì)量。

僅需觀測(cè)基礎(chǔ)開(kāi)關(guān)參數(shù)時(shí)：若測(cè)試目的只是獲取器件開(kāi)通 / 關(guān)斷的基本電壓電流波形、大致開(kāi)關(guān)損耗等基礎(chǔ)參數(shù)，無(wú)需捕捉納秒級(jí)的高頻細(xì)節(jié)。此時(shí)打開(kāi)帶寬限制，既能滿足測(cè)試需求，還能簡(jiǎn)化波形分析，避免高頻噪聲對(duì)基礎(chǔ)參數(shù)判斷的干擾。

不建議打開(kāi)帶寬限制的場(chǎng)景

測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體器件時(shí)：對(duì)于碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）這類(lèi)高頻高速器件，其開(kāi)關(guān)速度達(dá)納秒級(jí)，開(kāi)關(guān)過(guò)程中的有效信號(hào)包含大量高頻分量。主流雙脈沖測(cè)試對(duì)這類(lèi)器件測(cè)試常需 200MHz 以上帶寬的探頭，若打開(kāi)帶寬限制，會(huì)過(guò)濾掉器件開(kāi)關(guān)的真實(shí)高頻信號(hào)，導(dǎo)致無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗、開(kāi)通 / 關(guān)斷延遲等關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)，甚至可能掩蓋器件本身的高頻震蕩問(wèn)題，影響對(duì)器件性能的判斷。

需精準(zhǔn)分析波形細(xì)節(jié)時(shí)：若測(cè)試目標(biāo)是排查電路設(shè)計(jì)中的高頻震蕩、寄生參數(shù)影響等問(wèn)題，必須獲取完整的原始信號(hào)。比如驗(yàn)證驅(qū)動(dòng)電路是否存在高頻諧振時(shí)，帶寬限制會(huì)截?cái)嚓P(guān)鍵的高頻波形特征，導(dǎo)致工程師誤判電路狀態(tài)，此時(shí)需關(guān)閉帶寬限制，依靠探頭自身的高共模抑制比抵御干擾，以捕獲真實(shí)的信號(hào)波形。

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