SiC 驅動測試：探頭與示波器核心要求

一、核心測試需求

SiC（碳化硅）器件開關速度快（ns 級）、電壓高（數(shù)百 V 至數(shù)千 V）、dv/dt 大（可達 100kV/μs 以上），測試需重點關注：開關特性（開通 / 關斷時間、上升 / 下降沿）、電壓電流應力、dv/dt 與 di/dt、 EMI 干擾等。

二、示波器要求

帶寬：≥ 3 倍 SiC 器件開關頻率（建議≥ 500MHz，高頻場景選 1GHz 以上），避免波形失真。

采樣率：≥ 2.5 倍帶寬（如 500MHz 示波器需≥ 1.25GSa/s），捕捉 ns 級快速切換細節(jié)。

垂直分辨率：≥ 8 位（優(yōu)選 10 位），區(qū)分小信號波動與噪聲。

輸入電壓范圍：支持高電壓測量（如 ±400V 或外置高壓衰減探頭后兼容 kV 級）。

觸發(fā)功能：具備邊沿觸發(fā)、脈沖觸發(fā)，可穩(wěn)定捕捉單次開關事件。

輔助功能：支持 dv/dt、di/dt 計算、頻譜分析（EMI 測試用），部分場景需隔離通道（避免地環(huán)路干擾）。

三、探頭要求

3.1 電壓探頭

類型：優(yōu)先選差分探頭（避免接地環(huán)路，適配 SiC 浮地拓撲），高壓場景用高壓衰減探頭（衰減比≥100:1，耐壓≥2 倍測試電壓）。

帶寬：與示波器匹配（≥ 500MHz），確保高頻信號無衰減。

輸入電容：≤ 5pF（越小越好，減少對 SiC 開關特性的影響）。

dv/dt 耐受：≥ 100kV/μs（適配 SiC 快速電壓變化）。

3.2 電流探頭

類型：高頻電流探頭（如羅氏線圈、霍爾效應探頭），避免串擾。

帶寬：≥ 200MHz，捕捉快速 di/dt（SiC di/dt 可達 kA/μs）。

測量范圍：覆蓋測試電流（如 0-100A 或 0-500A，根據驅動電路額定電流選擇）。

精度：±1% 以內，確保電流應力測試準確。

3.3 通用要求

探頭地線短而粗（≤ 3cm），減少干擾耦合；

差分探頭需校準共模抑制比（CMRR），避免共模噪聲影響；

高頻場景選用低寄生參數(shù)探頭，避免引入額外電感 / 電容。

四、關鍵注意事項

示波器與探頭帶寬需匹配，否則無法發(fā)揮設備性能；

高壓測試時，探頭耐壓必須超過實際測試電壓，避免絕緣擊穿；

差分探頭需遠離功率器件發(fā)熱區(qū)，防止性能漂移。

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