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功率器件
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PKDV5151差分探頭在SiC模塊上管門極電壓測試中的應用案例
發(fā)布:西安普科科技瀏覽次數(shù):一、項目背景:新能源汽車 SiC 模塊測試需求
某新能源汽車零部件企業(yè)為提升車載充電機(OBC)的功率密度與能效,將傳統(tǒng)硅基 IGBT 模塊升級為 1200V/45A SiC MOSFET 模塊(英飛凌 IMW120R045M1H)。在模塊集成與性能驗證階段,需精準測量上管門極電壓(Vgs),評估開關特性(開通延遲、關斷振蕩)與驅(qū)動電路匹配性,確保模塊在整車高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。
該企業(yè)此前采用傳統(tǒng)單差分探頭測試時,因 SiC 模塊 1200V 母線共模電壓、100kHz 高頻開關產(chǎn)生的強電磁干擾,導致門極電壓波形失真嚴重,幅值測量誤差超 5%,無法滿足 ±2% 的精度要求,亟需更可靠的測試方案。
二、核心測試難題:SiC 模塊門極電壓測量的三大挑戰(zhàn)
高共模電壓沖擊:SiC 模塊上管源極(S)與系統(tǒng)地存在 1200V 母線共模電壓,傳統(tǒng)單探頭共模抑制比(CMRR)不足(<50dB@100kHz),易引發(fā)信號疊加,導致 Vgs 測量值偏離實際值;
高頻信號失真:SiC 模塊開關上升 / 下降時間僅 4-6ns,傳統(tǒng)探頭帶寬(<60MHz)無法捕捉納秒級波形細節(jié),上升沿出現(xiàn)衰減,關斷振蕩幅度誤判;
地環(huán)路干擾:測試系統(tǒng)中示波器、SiC 驅(qū)動板、隔離電源接地電位差異,形成地環(huán)路電流,在門極信號中疊加 50Hz 周期性噪聲,信噪比低于 25dB。
三、測試方案選型:雙 PKDV5151 差分探頭的適配性
針對上述難題,技術團隊對比多款測試設備后,選擇普科科技 PKDV5151 差分探頭(2 臺)構建雙探頭測試系統(tǒng),核心適配性體現(xiàn)在:
高共模抑制能力:PKDV5151 在 100kHz 頻段 CMRR>60dB,可抑制 1200V 母線共模干擾,減少噪聲疊加;
寬頻帶與低寄生參數(shù):100MHz 帶寬可完整捕捉納秒級開關波形,≤10pF 輸入寄生電容避免與門極回路形成 LC 振蕩;
安全與精度兼顧:CAT III 600V 安全等級適配高壓測試環(huán)境,±2% 測量精度滿足 SiC 模塊參數(shù)驗證需求。

四、方案實施:雙探頭測試系統(tǒng)搭建與操作流程
1. 設備清單與連接
設備名稱
型號規(guī)格
連接方式
差分探頭
普科科技 PKDV5151(2 臺)
探頭 1(CH1):G→門極、S→源極;探頭 2(CH2):S→源極、GND→系統(tǒng)地
示波器
泰克 MSO58(1GHz/5GSa/s)
雙探頭 BNC 輸出接 CH1、CH2,開啟 “CH1-CH2” 數(shù)學運算生成 Vg 波形
隔離電源
艾德克斯 IT6720(60V/30A)
為 SiC 驅(qū)動板供電,避免地環(huán)路電流
測試夾具
普科 PT-01 彈簧探針夾具
確保探頭與門極 / 源極可靠接觸,減少寄生電感
2. 關鍵操作步驟
探頭校準:使用示波器 1kHz/5V 標準方波,對雙 PKDV5151 進行幅度與相位校準,確保 CH1、CH2 通道增益誤差≤0.5dB,時間延遲≤1ns;
參數(shù)設置:示波器垂直刻度 CH1 設為 5V/div(覆蓋 - 5V~+20V Vgs)、CH2 設為 200V/div(覆蓋 0~1200V Vsg),時基設為 2ns/div,觸發(fā)方式為 CH1 邊沿觸發(fā)(觸發(fā)電平 = 5V,對應 SiC 開通閾值);
數(shù)據(jù)采集:在 SiC 模塊開關頻率 100kHz、負載電流 20A 工況下,采集 100 組 Vgs、Vsg 波形,通過數(shù)學運算獲取門極對地電壓(Vg=Vgs-Vsg)。
五、測試結果:精準解決三大難題
共模干擾抑制效果:實測 100kHz 頻段 CMRR 達 62dB,Vsg 波形波動幅度≤5V,Vg 波形無共模噪聲疊加,信噪比提升至 35dB;
波形精度與參數(shù)準確性:Vgs 幅值理論值 + 15V,實測平均值 14.82V(誤差 1.2%),上升沿時間 4.2ns(偏差 0.3ns),關斷振蕩幅度≤0.8V,完全滿足精度要求;
地環(huán)路干擾消除:通過隔離電源與單點接地設計,50Hz 周期性噪聲消失,波形穩(wěn)定性顯著提升,連續(xù)測試 1 小時數(shù)據(jù)波動≤0.5%。
六、項目價值:助力 SiC 模塊量產(chǎn)與性能優(yōu)化
研發(fā)效率提升:雙探頭方案將測試誤差從 5% 降至 1.2%,避免因波形失真導致的驅(qū)動電路反復調(diào)試,研發(fā)周期縮短 20%;
量產(chǎn)質(zhì)量保障:標準化測試流程可快速復制至產(chǎn)線,實現(xiàn) SiC 模塊門極電壓參數(shù) 100% 檢測,不良品率從 3% 降至 0.5%;
成本節(jié)約:PKDV5151 相比進口同類探頭成本低 30%,且支持多場景復用(如光伏逆變器 SiC 模塊測試),設備投入回報周期縮短至 6 個月。
七、應用總結
雙 PKDV5151 差分探頭通過 “差模信號提取 + 共模電壓補償” 機制,精準解決了 SiC 功率器件門極電壓測試中的高共模、高頻失真、地環(huán)路干擾難題,不僅為新能源汽車車載充電機 SiC 模塊測試提供了可靠方案,也為光伏、工業(yè)驅(qū)動等領域的 SiC 器件測試提供了可復用的技術范式,是功率器件研發(fā)與量產(chǎn)階段的高性價比測試選擇。
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